ON Semiconductor TIP120TU Пара Дарлингтона

Код товара RS: 145-4629Бренд: onsemiПарт-номер производителя: TIP120TU
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

2

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

4 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.5mA

Длина

10.67мм

Ширина

4.83мм

Максимальное рассеяние мощности

65 Вт

Размеры

10.67 x 4.83 x 16.51мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

16.51мм

Информация о товаре

Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor TIP120TU Пара Дарлингтона
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor TIP120TU Пара Дарлингтона

P.O.A.

ON Semiconductor TIP120TU Пара Дарлингтона
Информация о наличии не успела загрузиться
Вас может заинтересовать
ON Semiconductor TIP120TU Пара Дарлингтона
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

2

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

4 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.5mA

Длина

10.67мм

Ширина

4.83мм

Максимальное рассеяние мощности

65 Вт

Размеры

10.67 x 4.83 x 16.51мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

16.51мм

Информация о товаре

Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor TIP120TU Пара Дарлингтона
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)