ON Semiconductor TIP117G Пара Дарлингтона

Код товара RS: 184-1112Бренд: onsemiПарт-номер производителя: TIP117G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

2 (Continuous) A, 4 (Peak) A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 V dc

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 V dc

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

500

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В пост. тока

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.5 V dc

Максимальный запирающий ток коллектора

2mA

Ширина

4.83мм

Максимальное рассеяние мощности

50 Вт

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Размеры

10.53 x 4.83 x 15.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.53мм

Ток базы

50mA

Высота

15.75мм

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor TIP117G Пара Дарлингтона

P.O.A.

ON Semiconductor TIP117G Пара Дарлингтона
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

2 (Continuous) A, 4 (Peak) A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 V dc

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 V dc

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

500

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В пост. тока

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.5 V dc

Максимальный запирающий ток коллектора

2mA

Ширина

4.83мм

Максимальное рассеяние мощности

50 Вт

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Размеры

10.53 x 4.83 x 15.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.53мм

Ток базы

50mA

Высота

15.75мм

Страна происхождения

China