Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
2 (Continuous) A, 4 (Peak) A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 V dc
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 V dc
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
500
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В пост. тока
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2.5 V dc
Максимальный запирающий ток коллектора
2mA
Ширина
4.83мм
Максимальное рассеяние мощности
50 Вт
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Размеры
10.53 x 4.83 x 15.75мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.53мм
Ток базы
50mA
Высота
15.75мм
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
2 (Continuous) A, 4 (Peak) A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 V dc
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 V dc
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
500
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В пост. тока
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2.5 V dc
Максимальный запирающий ток коллектора
2mA
Ширина
4.83мм
Максимальное рассеяние мощности
50 Вт
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Размеры
10.53 x 4.83 x 15.75мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.53мм
Ток базы
50mA
Высота
15.75мм
Страна происхождения
China