JFET,N-channel,40V,1mA,SOT-883

Код товара RS: 920-9928Бренд: onsemiПарт-номер производителя: TF414T5G
brand-logo
View all in ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

0.05 to 0.13mA

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Максимальное напряжение сток-затвор

-40V

Конфигурация

Одиночный

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-883

Число контактов

3

Емкость сток-затвор

0.7пФ

Емкость исток-затвор

0.3пФ

Размеры

1.07 x 0.67 x 0.41мм

Длина

1.07мм

Высота

0.41мм

Ширина

0.67мм

Максимальное рассеяние мощности

100 мВт

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

JFET,N-channel,40V,1mA,SOT-883
Select packaging type

P.O.A.

JFET,N-channel,40V,1mA,SOT-883
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

0.05 to 0.13mA

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Максимальное напряжение сток-затвор

-40V

Конфигурация

Одиночный

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-883

Число контактов

3

Емкость сток-затвор

0.7пФ

Емкость исток-затвор

0.3пФ

Размеры

1.07 x 0.67 x 0.41мм

Длина

1.07мм

Высота

0.41мм

Ширина

0.67мм

Максимальное рассеяние мощности

100 мВт

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.