ON Semiconductor TF414T5G JFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
0.05 to 0.13mA
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-40V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-883
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
0.7пФ
Емкость исток-затвор
0.3пФ
Размеры
1.07 x 0.67 x 0.41мм
Высота
0.41мм
Ширина
0.67мм
Максимальное рассеяние мощности
100 мВт
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.07мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
8000
P.O.A.
8000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
0.05 to 0.13mA
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-40V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-883
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
0.7пФ
Емкость исток-затвор
0.3пФ
Размеры
1.07 x 0.67 x 0.41мм
Высота
0.41мм
Ширина
0.67мм
Максимальное рассеяние мощности
100 мВт
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.07мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.