JFET N-Channel 30V 1.2-3mA 5mS SOT-883

Код товара RS: 867-3287Бренд: onsemiПарт-номер производителя: TF412ST5G
brand-logo
View all in ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

1.2 to 3mA

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Максимальное напряжение сток-затвор

-30V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-883

Число контактов

3

Емкость сток-затвор

4пФ

Емкость исток-затвор

4пФ

Размеры

1.08 x 0.68 x 0.41мм

Длина

1.08мм

Высота

0.41мм

Максимальное рассеяние мощности

100 мВт

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

0.68мм

Информация о товаре

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

JFET N-Channel 30V 1.2-3mA 5mS SOT-883
Select packaging type

P.O.A.

JFET N-Channel 30V 1.2-3mA 5mS SOT-883
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
50 - 50P.O.A.
100 - 200P.O.A.
250 - 950P.O.A.
1000 - 1950P.O.A.
2000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

1.2 to 3mA

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Максимальное напряжение сток-затвор

-30V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-883

Число контактов

3

Емкость сток-затвор

4пФ

Емкость исток-затвор

4пФ

Размеры

1.08 x 0.68 x 0.41мм

Длина

1.08мм

Высота

0.41мм

Максимальное рассеяние мощности

100 мВт

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

0.68мм

Информация о товаре

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.