ON Semiconductor TF412ST5G JFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
1.2 to 3mA
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-30V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-883
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
4пФ
Емкость исток-затвор
4пФ
Размеры
1.08 x 0.68 x 0.41мм
Высота
0.41мм
Ширина
0.68мм
Максимальное рассеяние мощности
100 мВт
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.08мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
8000
P.O.A.
8000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
1.2 to 3mA
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-30V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-883
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
4пФ
Емкость исток-затвор
4пФ
Размеры
1.08 x 0.68 x 0.41мм
Высота
0.41мм
Ширина
0.68мм
Максимальное рассеяние мощности
100 мВт
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.08мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.