Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Сложная матрица
Максимальное напряжение фиксации
15V
Минимальное пробивное напряжение
5V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Максимальное обратное напряжение стабилизации
3.3V
Число контактов
8
Рассеяние пиковой импульсной мощности
500W
Максимальный пиковый импульсный ток
10A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
4
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Высота
1.5мм
Длина
5мм
Ширина
4мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
5мкА
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Сложная матрица
Максимальное напряжение фиксации
15V
Минимальное пробивное напряжение
5V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Максимальное обратное напряжение стабилизации
3.3V
Число контактов
8
Рассеяние пиковой импульсной мощности
500W
Максимальный пиковый импульсный ток
10A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
4
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Высота
1.5мм
Длина
5мм
Ширина
4мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
5мкА
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре