Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Сложная матрица
Тип продукции
Матрица TVS диодов
Минимальное пробивное напряжение (Vbr)
5V
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
SOIC
Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)
3.3V
Число контактов
8
Рассеяние пиковой импульсной мощности (Pppm)
500W
Защита от ЭСР
Да
Напряжение ограничения (VC)
15V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Испытательный ток (It)
1mA
Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)
10A
Количество элементов на ИС
4
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
4 mm
Материал каски/сварочной маски
1.5мм
Длина
5мм
Автомобильный стандарт
Нет
Максимальный обратный ток утечки
5μA
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Сложная матрица
Тип продукции
Матрица TVS диодов
Минимальное пробивное напряжение (Vbr)
5V
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
SOIC
Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)
3.3V
Число контактов
8
Рассеяние пиковой импульсной мощности (Pppm)
500W
Защита от ЭСР
Да
Напряжение ограничения (VC)
15V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Испытательный ток (It)
1mA
Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)
10A
Количество элементов на ИС
4
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
4 mm
Материал каски/сварочной маски
1.5мм
Длина
5мм
Автомобильный стандарт
Нет
Максимальный обратный ток утечки
5μA
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
