onsemi SMS12CT1G, Quint-Element Uni-Directional ESD Protection Diode, 350W, 6-Pin TSOP

Код товара RS: 186-9134Бренд: onsemiПарт-номер производителя: SMS12CT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Конфигурация диода

Матрица

Тип направления

Однонаправленный

Максимальное напряжение фиксации

23V

Минимальное пробивное напряжение

13.3V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами

Число контактов

6

Рассеяние пиковой импульсной мощности

350W

Максимальный пиковый импульсный ток

15A

Защита от электрических разрядов

Да

Количество элементов на ИС

5

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Размеры

3.1 x 3 x 1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Рабочее напряжение

12V

Емкость

150пФ

Длина

3.1мм

Высота

1мм

Ширина

3мм

Испытательный ток

1mA

Максимальный обратный ток утечки

1мкА

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi SMS12CT1G, Quint-Element Uni-Directional ESD Protection Diode, 350W, 6-Pin TSOP

P.O.A.

onsemi SMS12CT1G, Quint-Element Uni-Directional ESD Protection Diode, 350W, 6-Pin TSOP
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Конфигурация диода

Матрица

Тип направления

Однонаправленный

Максимальное напряжение фиксации

23V

Минимальное пробивное напряжение

13.3V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами

Число контактов

6

Рассеяние пиковой импульсной мощности

350W

Максимальный пиковый импульсный ток

15A

Защита от электрических разрядов

Да

Количество элементов на ИС

5

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Размеры

3.1 x 3 x 1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Рабочее напряжение

12V

Емкость

150пФ

Длина

3.1мм

Высота

1мм

Ширина

3мм

Испытательный ток

1mA

Максимальный обратный ток утечки

1мкА