Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип усилителя
Широкий диапазон частот
Типичный коэффициент усиления по мощности
33,5 дБ
Типичная выходная мощность
9.8дБм
Типичный шум-фактор
4.1дБ
Количество каналов на ИС
1
Максимальная рабочая частота
3 ГГц
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
MCPH
Число контактов
6
Размеры
2 x 1.6 x 0.85мм
Высота
0.85мм
Длина
2мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Ширина
1.6мм
Минимальное рабочее напряжение питания
4,5 В
Информация о товаре
RF Amplifiers, ON Semiconductor
MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) Wideband RF amplifiers from ON Semiconductor, suitable for operation up to several GHz.
Radio Frequency (RF) Amplifiers, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
50 - 50 | P.O.A. |
100 - 450 | P.O.A. |
500 - 950 | P.O.A. |
1000 - 1950 | P.O.A. |
2000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип усилителя
Широкий диапазон частот
Типичный коэффициент усиления по мощности
33,5 дБ
Типичная выходная мощность
9.8дБм
Типичный шум-фактор
4.1дБ
Количество каналов на ИС
1
Максимальная рабочая частота
3 ГГц
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
MCPH
Число контактов
6
Размеры
2 x 1.6 x 0.85мм
Высота
0.85мм
Длина
2мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Ширина
1.6мм
Минимальное рабочее напряжение питания
4,5 В
Информация о товаре
RF Amplifiers, ON Semiconductor
MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) Wideband RF amplifiers from ON Semiconductor, suitable for operation up to several GHz.