onsemi SBC807-40LT1G PNP Digital Transistor, -45 V, 3-Pin SOT-23

Код товара RS: 186-7209Бренд: onsemiПарт-номер производителя: SBC807-40LT1G
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi SBC807-40LT1G PNP Digital Transistor, -45 V, 3-Pin SOT-23

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

onsemi SBC807-40LT1G PNP Digital Transistor, -45 V, 3-Pin SOT-23
Информация о наличии не успела загрузиться

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C