Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiSpectrums Detected
Infrared
Обнаруженные спектры
Инфракрасный
Типичное время затухания
15мкс
Типичное время нарастания
15мкс
Количество каналов
1
Максимальный темновой ток
100нА
Угол половинной чувствительности
80 °
Количество контактов
2
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Размеры
3.2 x 2.2 x 1.1мм
Ток коллектора
0.5mA
Максимальная определяемая длина волны
860нм
Спектральный диапазон чувствительности
860 нм
Длина
3.2мм
Ширина
2.2мм
Высота
1.1мм
Информация о товаре
QTLP610CPD IR Phototransistor
Fairchild Semiconductor's QTLP610CPD IR phototransistor is in a surface mount (SMD) right angle package. It has a clear plastic domed lens.
IR Phototransistors, Fairchild Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2000
P.O.A.
2000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiSpectrums Detected
Infrared
Обнаруженные спектры
Инфракрасный
Типичное время затухания
15мкс
Типичное время нарастания
15мкс
Количество каналов
1
Максимальный темновой ток
100нА
Угол половинной чувствительности
80 °
Количество контактов
2
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Размеры
3.2 x 2.2 x 1.1мм
Ток коллектора
0.5mA
Максимальная определяемая длина волны
860нм
Спектральный диапазон чувствительности
860 нм
Длина
3.2мм
Ширина
2.2мм
Высота
1.1мм
Информация о товаре
QTLP610CPD IR Phototransistor
Fairchild Semiconductor's QTLP610CPD IR phototransistor is in a surface mount (SMD) right angle package. It has a clear plastic domed lens.