ON Semiconductor QSE113 Фототранзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiSpectrums Detected
Infrared
Типичное время затухания
8мкс
Типичное время нарастания
8мкс
Количество каналов
1
Максимальный темновой ток
100нА
Угол половинной чувствительности
25 °
Количество контактов
2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
Устройство бокового обзора
Размеры
4.44 x 2.54 x 5.08мм
Ток коллектора
1.50mA
Спектральный диапазон чувствительности
880 нм
Максимальная определяемая длина волны
880нм
Длина
4.44мм
Ширина
2.54мм
Высота
5.08мм
Информация о товаре
QSE113/QSE114 Series IR Phototransistor
The QSE113/QSE114 series, from Fairchild Semiconductor, is a range of silicon IR phototransistors. They are in a side-looking (SL) through-hole package. Their black plastic packages have a wide angle and are IR transparent.
IR Phototransistors, Fairchild Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 20 - 80 | P.O.A. |
| 100 - 180 | P.O.A. |
| 200 - 980 | P.O.A. |
| 1000 - 1980 | P.O.A. |
| 2000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiSpectrums Detected
Infrared
Типичное время затухания
8мкс
Типичное время нарастания
8мкс
Количество каналов
1
Максимальный темновой ток
100нА
Угол половинной чувствительности
25 °
Количество контактов
2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
Устройство бокового обзора
Размеры
4.44 x 2.54 x 5.08мм
Ток коллектора
1.50mA
Спектральный диапазон чувствительности
880 нм
Максимальная определяемая длина волны
880нм
Длина
4.44мм
Ширина
2.54мм
Высота
5.08мм
Информация о товаре
QSE113/QSE114 Series IR Phototransistor
The QSE113/QSE114 series, from Fairchild Semiconductor, is a range of silicon IR phototransistors. They are in a side-looking (SL) through-hole package. Their black plastic packages have a wide angle and are IR transparent.