ON Semiconductor QSD123 Фототранзистор

Brand

Spectrums Detected

Infrared

Типичное время затухания

7мкс

Типичное время нарастания

7мкс

Количество каналов

1

Максимальный темновой ток

100нА

Угол половинной чувствительности

±12 °

Количество контактов

2

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип корпуса

T-1 3/4

Размеры

6.1 Dia. x 8.77мм

Ток коллектора

16mA

Диаметр

6.1мм

Максимальная определяемая длина волны

880нм

Спектральный диапазон чувствительности

880 нм

Напряжение эмиттер-коллектор

5V

Напряжение коллектор-эмиттер

30V

Тип выходного сигнала

Phototransistor

Высота

8.77мм

Напряжение насыщения

0.4V