QSB363ZR onsemi, 12 ° IR Phototransistor, Surface Mount 2-Pin Subminiature package

Код товара RS: 805-0523PБренд: onsemiПарт-номер производителя: QSB363ZR
brand-logo
View all in Фототранзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Spectrums Detected

Infrared

Типичное время затухания

15мкс

Типичное время нарастания

15мкс

Количество каналов

1

Максимальный темновой ток

100нА

Угол половинной чувствительности

12 °

Количество контактов

2

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

Субминиатюрный

Размеры

2.7 x 2.2 x 3мм

Ток коллектора

1.5mA

Максимальная определяемая длина волны

940нм

Спектральный диапазон чувствительности

940 нм

Высота

3мм

Длина

2.7мм

Ширина

2.2мм

Информация о товаре

QSB363 Series IR Phototransistor

The QSB363 series, from Fairchild Semiconductor, are a family of silicon IR phototransistors. They are in surface mount (SMD) subminiature packages with a T-3/4 (2mm) domed lens. The QSB363 IR phototransistors have a range of different lead types including gull-wing, yoke and z-bend.

IR Phototransistors, Fairchild Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

QSB363ZR onsemi, 12 ° IR Phototransistor, Surface Mount 2-Pin Subminiature package
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

QSB363ZR onsemi, 12 ° IR Phototransistor, Surface Mount 2-Pin Subminiature package
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Spectrums Detected

Infrared

Типичное время затухания

15мкс

Типичное время нарастания

15мкс

Количество каналов

1

Максимальный темновой ток

100нА

Угол половинной чувствительности

12 °

Количество контактов

2

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

Субминиатюрный

Размеры

2.7 x 2.2 x 3мм

Ток коллектора

1.5mA

Максимальная определяемая длина волны

940нм

Спектральный диапазон чувствительности

940 нм

Высота

3мм

Длина

2.7мм

Ширина

2.2мм

Информация о товаре

QSB363 Series IR Phototransistor

The QSB363 series, from Fairchild Semiconductor, are a family of silicon IR phototransistors. They are in surface mount (SMD) subminiature packages with a T-3/4 (2mm) domed lens. The QSB363 IR phototransistors have a range of different lead types including gull-wing, yoke and z-bend.

IR Phototransistors, Fairchild Semiconductor