ON Semiconductor QSB363 Фототранзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiSpectrums Detected
Infrared
Типичное время затухания
15мкс
Типичное время нарастания
15мкс
Количество каналов
1
Максимальный темновой ток
100нА
Угол половинной чувствительности
12 °
Количество контактов
2
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Субминиатюрный
Размеры
2.7 x 2.2 x 3мм
Ток коллектора
1.5mA
Спектральный диапазон чувствительности
940 нм
Максимальная определяемая длина волны
940нм
Ширина
2.2мм
Высота
3мм
Длина
2.7мм
Информация о товаре
QSB363 Series IR Phototransistor
The QSB363 series, from Fairchild Semiconductor, are a family of silicon IR phototransistors. They are in surface mount (SMD) subminiature packages with a T-3/4 (2mm) domed lens. The QSB363 IR phototransistors have a range of different lead types including gull-wing, yoke and z-bend.
IR Phototransistors, Fairchild Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 20 - 80 | P.O.A. |
| 100 - 180 | P.O.A. |
| 200 - 980 | P.O.A. |
| 1000 - 1980 | P.O.A. |
| 2000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiSpectrums Detected
Infrared
Типичное время затухания
15мкс
Типичное время нарастания
15мкс
Количество каналов
1
Максимальный темновой ток
100нА
Угол половинной чувствительности
12 °
Количество контактов
2
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Субминиатюрный
Размеры
2.7 x 2.2 x 3мм
Ток коллектора
1.5mA
Спектральный диапазон чувствительности
940 нм
Максимальная определяемая длина волны
940нм
Ширина
2.2мм
Высота
3мм
Длина
2.7мм
Информация о товаре
QSB363 Series IR Phototransistor
The QSB363 series, from Fairchild Semiconductor, are a family of silicon IR phototransistors. They are in surface mount (SMD) subminiature packages with a T-3/4 (2mm) domed lens. The QSB363 IR phototransistors have a range of different lead types including gull-wing, yoke and z-bend.