QRD1114 onsemi, IR Phototransistor, Through Hole 4-Pin Custom 4L package

Код товара RS: 184-1403Бренд: onsemiПарт-номер производителя: QRD1114
brand-logo
Просмотреть все в Фототранзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Spectrums Detected

Infrared

Обнаруженные спектры

Инфракрасный

Типичное время затухания

50мкс

Типичное время нарастания

10мкс

Количество каналов

1

Максимальный темновой ток

100нА

Количество контактов

4

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип корпуса

Custom 4L

Размеры

4.39 x 6.1 x 4.65мм

Ток коллектора

1 (Minimum)mA

Максимальная определяемая длина волны

940нм

Спектральный диапазон чувствительности

940 нм

Напряжение эмиттер-коллектор

5V

Напряжение коллектор-эмиттер

30V

Длина

4.39мм

Ширина

6.1мм

Тип выходного сигнала

Phototransistor

Высота

4.65мм

Напряжение насыщения

0.4V

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

QRD1114 onsemi, IR Phototransistor, Through Hole 4-Pin Custom 4L package
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

QRD1114 onsemi, IR Phototransistor, Through Hole 4-Pin Custom 4L package
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Spectrums Detected

Infrared

Обнаруженные спектры

Инфракрасный

Типичное время затухания

50мкс

Типичное время нарастания

10мкс

Количество каналов

1

Максимальный темновой ток

100нА

Количество контактов

4

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип корпуса

Custom 4L

Размеры

4.39 x 6.1 x 4.65мм

Ток коллектора

1 (Minimum)mA

Максимальная определяемая длина волны

940нм

Спектральный диапазон чувствительности

940 нм

Напряжение эмиттер-коллектор

5V

Напряжение коллектор-эмиттер

30V

Длина

4.39мм

Ширина

6.1мм

Тип выходного сигнала

Phototransistor

Высота

4.65мм

Напряжение насыщения

0.4V

Страна происхождения

China