ON Semiconductor QRD1114 Фототранзистор

Код товара RS: 184-1082Бренд: onsemiПарт-номер производителя: QRD1114
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Spectrums Detected

Infrared

Типичное время затухания

50мкс

Типичное время нарастания

10мкс

Количество каналов

1

Максимальный темновой ток

100нА

Количество контактов

4

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип корпуса

Custom 4L

Размеры

4.39 x 6.1 x 4.65мм

Ток коллектора

1 (Minimum)mA

Максимальная определяемая длина волны

940нм

Спектральный диапазон чувствительности

940 нм

Ширина

6.1мм

Напряжение эмиттер-коллектор

5V

Напряжение коллектор-эмиттер

30V

Длина

4.39мм

Тип выходного сигнала

Phototransistor

Высота

4.65мм

Напряжение насыщения

0.4V

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor QRD1114 Фототранзистор

P.O.A.

ON Semiconductor QRD1114 Фототранзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Spectrums Detected

Infrared

Типичное время затухания

50мкс

Типичное время нарастания

10мкс

Количество каналов

1

Максимальный темновой ток

100нА

Количество контактов

4

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип корпуса

Custom 4L

Размеры

4.39 x 6.1 x 4.65мм

Ток коллектора

1 (Minimum)mA

Максимальная определяемая длина волны

940нм

Спектральный диапазон чувствительности

940 нм

Ширина

6.1мм

Напряжение эмиттер-коллектор

5V

Напряжение коллектор-эмиттер

30V

Длина

4.39мм

Тип выходного сигнала

Phototransistor

Высота

4.65мм

Напряжение насыщения

0.4V