ON Semiconductor QRD1113 Фототранзистор

Код товара RS: 184-1081Бренд: onsemiПарт-номер производителя: QRD1113
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Spectrums Detected

Infrared

Типичное время затухания

50мкс

Типичное время нарастания

10мкс

Количество каналов

1

Максимальный темновой ток

100нА

Количество контактов

4

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип корпуса

Custom 4L

Размеры

4.39 x 6.1 x 4.65мм

Ток коллектора

0.3 (Minimum)mA

Спектральный диапазон чувствительности

940 нм

Максимальная определяемая длина волны

940нм

Ширина

6.1мм

Тип выходного сигнала

Phototransistor

Высота

4.65мм

Напряжение насыщения

0.4V

Напряжение эмиттер-коллектор

5V

Напряжение коллектор-эмиттер

30V

Длина

4.39мм

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor QRD1113 Фототранзистор

P.O.A.

ON Semiconductor QRD1113 Фототранзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Spectrums Detected

Infrared

Типичное время затухания

50мкс

Типичное время нарастания

10мкс

Количество каналов

1

Максимальный темновой ток

100нА

Количество контактов

4

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип корпуса

Custom 4L

Размеры

4.39 x 6.1 x 4.65мм

Ток коллектора

0.3 (Minimum)mA

Спектральный диапазон чувствительности

940 нм

Максимальная определяемая длина волны

940нм

Ширина

6.1мм

Тип выходного сигнала

Phototransistor

Высота

4.65мм

Напряжение насыщения

0.4V

Напряжение эмиттер-коллектор

5V

Напряжение коллектор-эмиттер

30V

Длина

4.39мм