ON Semiconductor QEE113 Инфракрасный светодиод

Код товара RS: 184-1080Бренд: onsemiПарт-номер производителя: QEE113
brand-logo
Просмотреть все в Инфракрасные светодиоды

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Пиковая длина волны

945nm

Тип продукции

Инфракрасный светодиод

Корпус

Боковой обзор

Интенсивность излучения

12mW/sr

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Угол половинной интенсивности

50°

Количество светодиодов

1

Количество контактов

2

Материал светодиода

GaAS

Стандарты/одобрения

Нет

Максимальная поддерживаемая емкость памяти

1.5V

Автомобильный стандарт

Нет

Просмотреть все в Инфракрасные светодиоды

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor QEE113 Инфракрасный светодиод

1

Доступно в кратности 500
1P.O.A.
501P.O.A.
1001P.O.A.
1501P.O.A.
2001P.O.A.
2501P.O.A.
3001P.O.A.
3501P.O.A.
4001P.O.A.
4501P.O.A.
5001P.O.A.
5501P.O.A.
6001P.O.A.
6501P.O.A.
7001P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor QEE113 Инфракрасный светодиод

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 500
1P.O.A.
501P.O.A.
1001P.O.A.
1501P.O.A.
2001P.O.A.
2501P.O.A.
3001P.O.A.
3501P.O.A.
4001P.O.A.
4501P.O.A.
5001P.O.A.
5501P.O.A.
6001P.O.A.
6501P.O.A.
7001P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Пиковая длина волны

945nm

Тип продукции

Инфракрасный светодиод

Корпус

Боковой обзор

Интенсивность излучения

12mW/sr

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Угол половинной интенсивности

50°

Количество светодиодов

1

Количество контактов

2

Материал светодиода

GaAS

Стандарты/одобрения

Нет

Максимальная поддерживаемая емкость памяти

1.5V

Автомобильный стандарт

Нет