onsemi PZTA64 PNP Darlington Transistor, -1.2 A 30 V HFE:10000, 3 + Tab-Pin SOT-223

Код товара RS: 806-1356Бренд: onsemiПарт-номер производителя: PZTA64
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

-1,2 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-10 V

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

10000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

-2 В

Максимальное напряжение коллектор-база

-30 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-1,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

-100нА

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Darlington PNP Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi PZTA64 PNP Darlington Transistor, -1.2 A 30 V HFE:10000, 3 + Tab-Pin SOT-223
Select packaging type

P.O.A.

onsemi PZTA64 PNP Darlington Transistor, -1.2 A 30 V HFE:10000, 3 + Tab-Pin SOT-223
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
50 - 200P.O.A.
250 - 450P.O.A.
500 - 2450P.O.A.
2500 - 4950P.O.A.
5000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

-1,2 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-10 V

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

10000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

-2 В

Максимальное напряжение коллектор-база

-30 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-1,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

-100нА

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Darlington PNP Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.