onsemi NZT605 NPN Darlington Pair, 1.5 A 110 V HFE:200, 3 + Tab-Pin SOT-223

Код товара RS: 806-1268PБренд: onsemiПарт-номер производителя: NZT605
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

1,5 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

110 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,8 В

Максимальное напряжение коллектор-база

140 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

10нА

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.5мм

Высота

1.6мм

Ширина

3.5мм

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.6мм

Информация о товаре

Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi NZT605 NPN Darlington Pair, 1.5 A 110 V HFE:200, 3 + Tab-Pin SOT-223
Select packaging type

P.O.A.

onsemi NZT605 NPN Darlington Pair, 1.5 A 110 V HFE:200, 3 + Tab-Pin SOT-223
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

1,5 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

110 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,8 В

Максимальное напряжение коллектор-база

140 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

10нА

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.5мм

Высота

1.6мм

Ширина

3.5мм

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.6мм

Информация о товаре

Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.