ON Semiconductor NZT605 Пара Дарлингтона

Код товара RS: 166-2811Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NZT605
brand-logo
Просмотреть все в Составные транзисторы Дарлингтона

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

1,5 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

110 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,8 В

Максимальное напряжение коллектор-база

140 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

10нА

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.5мм

Высота

1.6мм

Ширина

3.5мм

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.6мм

Информация о товаре

Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor NZT605 Пара Дарлингтона

1

Доступно в кратности 4000
1P.O.A.
4001P.O.A.
8001P.O.A.
12001P.O.A.
16001P.O.A.
20001P.O.A.
24001P.O.A.
28001P.O.A.
32001P.O.A.
36001P.O.A.
40001P.O.A.
44001P.O.A.
48001P.O.A.
52001P.O.A.
56001P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor NZT605 Пара Дарлингтона
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 4000
1P.O.A.
4001P.O.A.
8001P.O.A.
12001P.O.A.
16001P.O.A.
20001P.O.A.
24001P.O.A.
28001P.O.A.
32001P.O.A.
36001P.O.A.
40001P.O.A.
44001P.O.A.
48001P.O.A.
52001P.O.A.
56001P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

1,5 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

110 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,8 В

Максимальное напряжение коллектор-база

140 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

10нА

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.5мм

Высота

1.6мм

Ширина

3.5мм

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.6мм

Информация о товаре

Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.