onsemi NXH35C120L2C2SG 3 Phase IGBT Module, 35 A 650 V DIP26, Through Hole
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiМаксимальный непрерывный ток коллектора
35 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20.0V
Количество транзисторов
6
Тип корпуса
DIP26
Конфигурация
Трехфазный
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
onsemi NXH35C120L2C2SG 3 Phase IGBT Module, 35 A 650 V DIP26, Through Hole
1
P.O.A.
onsemi NXH35C120L2C2SG 3 Phase IGBT Module, 35 A 650 V DIP26, Through Hole
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiМаксимальный непрерывный ток коллектора
35 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20.0V
Количество транзисторов
6
Тип корпуса
DIP26
Конфигурация
Трехфазный
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N