onsemi NXH100B120H3Q0STGOS Dual IGBT Module 1200 V, 22-Pin Q0BOOST, Surface Mount

Код товара RS: 195-8771Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NXH100B120H3Q0STG
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

186 W

Тип корпуса

Q0BOOST

Конфигурация

Двойной

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

22

Конфигурация транзистора

Двойной

Размеры

66.2 x 32.8 x 11.9мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Ширина

32.8мм

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi NXH100B120H3Q0STGOS Dual IGBT Module 1200 V, 22-Pin Q0BOOST, Surface Mount
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

onsemi NXH100B120H3Q0STGOS Dual IGBT Module 1200 V, 22-Pin Q0BOOST, Surface Mount
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

186 W

Тип корпуса

Q0BOOST

Конфигурация

Двойной

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

22

Конфигурация транзистора

Двойной

Размеры

66.2 x 32.8 x 11.9мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Ширина

32.8мм