Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Сложная матрица
Минимальное пробивное напряжение
70V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Максимальное обратное напряжение стабилизации
70V
Число контактов
6
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
4
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
3.1 x 1.7 x 1мм
Длина
3.1мм
Высота
1мм
Ширина
1.7мм
Испытательный ток
100мкА
Максимальный обратный ток утечки
50мкА
Информация о товаре
NUP4301MR6T1, Low Capacitance Diode Array for ESD Protection in Four Data Lines
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
50 - 50 | P.O.A. |
100 - 200 | P.O.A. |
250 - 450 | P.O.A. |
500 - 950 | P.O.A. |
1000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Сложная матрица
Минимальное пробивное напряжение
70V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Максимальное обратное напряжение стабилизации
70V
Число контактов
6
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
4
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
3.1 x 1.7 x 1мм
Длина
3.1мм
Высота
1мм
Ширина
1.7мм
Испытательный ток
100мкА
Максимальный обратный ток утечки
50мкА
Информация о товаре