Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiКонфигурация диода
Сложная матрица
Тип продукции
Матрица TVS диодов
Тип направления
Однонаправленный
Минимальное пробивное напряжение (Vbr)
6V
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
SOT-363
Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)
5V
Число контактов
6
Рассеяние пиковой импульсной мощности (Pppm)
500W
Напряжение ограничения (VC)
20V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Испытательный ток (It)
1mA
Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)
8A
Защита от ЭСР
Да
Количество элементов на ИС
4
Максимальная рабочая температура
125°C
Ширина
1.35 mm
Материал каски/сварочной маски
1мм
Длина
2.2мм
Стандарты/одобрения
Нет
Максимальный обратный ток утечки
5μA
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiКонфигурация диода
Сложная матрица
Тип продукции
Матрица TVS диодов
Тип направления
Однонаправленный
Минимальное пробивное напряжение (Vbr)
6V
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
SOT-363
Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)
5V
Число контактов
6
Рассеяние пиковой импульсной мощности (Pppm)
500W
Напряжение ограничения (VC)
20V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Испытательный ток (It)
1mA
Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)
8A
Защита от ЭСР
Да
Количество элементов на ИС
4
Максимальная рабочая температура
125°C
Ширина
1.35 mm
Материал каски/сварочной маски
1мм
Длина
2.2мм
Стандарты/одобрения
Нет
Максимальный обратный ток утечки
5μA
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
