onsemi NUP4201DR2G, Quad-Element Uni-Directional TVS Diode Array, 500W, 8-Pin SOIC

Код товара RS: 802-4180PБренд: onsemiПарт-номер производителя: NUP4201DR2G
brand-logo
Просмотреть все в TVS диоды (диоды подавления переходных скачков напряжения)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип направления

Однонаправленный

Конфигурация диода

Сложная матрица

Максимальное напряжение фиксации

25V

Минимальное пробивное напряжение

6V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOIC

Число контактов

8

Рассеяние пиковой импульсной мощности

500W

Защита от электрических разрядов

Да

Количество элементов на ИС

4

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Длина

5мм

Высота

1.5мм

Ширина

4мм

Испытательный ток

1mA

Максимальный обратный ток утечки

10мкА

Информация о товаре

Transient Voltage Suppressors for ESD Protection for High Speed Data

Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi NUP4201DR2G, Quad-Element Uni-Directional TVS Diode Array, 500W, 8-Pin SOIC
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi NUP4201DR2G, Quad-Element Uni-Directional TVS Diode Array, 500W, 8-Pin SOIC

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип направления

Однонаправленный

Конфигурация диода

Сложная матрица

Максимальное напряжение фиксации

25V

Минимальное пробивное напряжение

6V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOIC

Число контактов

8

Рассеяние пиковой импульсной мощности

500W

Защита от электрических разрядов

Да

Количество элементов на ИС

4

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Длина

5мм

Высота

1.5мм

Ширина

4мм

Испытательный ток

1mA

Максимальный обратный ток утечки

10мкА

Информация о товаре

Transient Voltage Suppressors for ESD Protection for High Speed Data

Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor