Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Сложная матрица
Максимальное напряжение фиксации
22V
Минимальное пробивное напряжение
15V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Максимальное обратное напряжение стабилизации
12V
Число контактов
6
Максимальный пиковый импульсный ток
3A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
4
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Размеры
1.6 x 1.6 x 0.5мм
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Длина
1.6мм
Высота
0.5мм
Ширина
1.6мм
Испытательный ток
1mA
Информация о товаре
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Сложная матрица
Максимальное напряжение фиксации
22V
Минимальное пробивное напряжение
15V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Максимальное обратное напряжение стабилизации
12V
Число контактов
6
Максимальный пиковый импульсный ток
3A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
4
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Размеры
1.6 x 1.6 x 0.5мм
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Длина
1.6мм
Высота
0.5мм
Ширина
1.6мм
Испытательный ток
1mA
Информация о товаре