ON Semiconductor NUP2202W1T2G Матрица TVS диодов
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Сложная матрица
Максимальное напряжение фиксации
20V
Минимальное пробивное напряжение
6V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Максимальное обратное напряжение стабилизации
5V
Число контактов
6
Рассеяние пиковой импульсной мощности
500W
Максимальный пиковый импульсный ток
28A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
2
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Размеры
2 x 1.25 x 0.9мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Максимальный обратный ток утечки
5мкА
Высота
0.9мм
Испытательный ток
1mA
Длина
2мм
Ширина
1.25мм
Информация о товаре
SLIC Surge Arrestor Arrays, ON Semiconductor
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 10 - 40 | P.O.A. |
| 50 - 190 | P.O.A. |
| 200 - 490 | P.O.A. |
| 500 - 990 | P.O.A. |
| 1000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Сложная матрица
Максимальное напряжение фиксации
20V
Минимальное пробивное напряжение
6V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Максимальное обратное напряжение стабилизации
5V
Число контактов
6
Рассеяние пиковой импульсной мощности
500W
Максимальный пиковый импульсный ток
28A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
2
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Размеры
2 x 1.25 x 0.9мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Максимальный обратный ток утечки
5мкА
Высота
0.9мм
Испытательный ток
1mA
Длина
2мм
Ширина
1.25мм
Информация о товаре