onsemi NUF2042XV6T1G, Quint-Element Bi-Directional ESD Protection Diode, 0.22W, 6-Pin SOT-563
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Двунаправленный
Конфигурация диода
Сложная матрица
Минимальное пробивное напряжение
5.6V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-563
Максимальное обратное напряжение стабилизации
3.3V
Число контактов
6
Рассеяние пиковой импульсной мощности
0.22W
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
5
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Размеры
1.7 x 1.3 x 0.6мм
Максимальный обратный ток утечки
100нА
Длина
1.7мм
Высота
0.6мм
Ширина
1.3мм
Испытательный ток
1mA
Информация о товаре
EMI Filter with ESD Protection, ON Semiconductor
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 50 - 50 | P.O.A. |
| 100 - 200 | P.O.A. |
| 250 - 450 | P.O.A. |
| 500 - 950 | P.O.A. |
| 1000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Двунаправленный
Конфигурация диода
Сложная матрица
Минимальное пробивное напряжение
5.6V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-563
Максимальное обратное напряжение стабилизации
3.3V
Число контактов
6
Рассеяние пиковой импульсной мощности
0.22W
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
5
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Размеры
1.7 x 1.3 x 0.6мм
Максимальный обратный ток утечки
100нА
Длина
1.7мм
Высота
0.6мм
Ширина
1.3мм
Испытательный ток
1mA
Информация о товаре