onsemi P-Channel MOSFET, 1.3 A, 30 V, 3-Pin SOT-323 NTS4173PT1G

Код товара RS: 780-4761Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTS4173PT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-323

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

280 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

350 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10,1 нКл при 10 В, 4,8 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.9мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

тг 2 570,25

тг 102,81 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

onsemi P-Channel MOSFET, 1.3 A, 30 V, 3-Pin SOT-323 NTS4173PT1G
Select packaging type

тг 2 570,25

тг 102,81 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

onsemi P-Channel MOSFET, 1.3 A, 30 V, 3-Pin SOT-323 NTS4173PT1G

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Лента
25 - 25тг 102,81тг 2 570,25
50 - 100тг 102,81тг 2 570,25
125 - 225тг 58,11тг 1 452,75
250 - 475тг 58,11тг 1 452,75
500+тг 58,11тг 1 452,75

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-323

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

280 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

350 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10,1 нКл при 10 В, 4,8 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.9мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor