onsemi P-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 NTR1P02LT3G

Код товара RS: 808-0060PБренд: onsemiПарт-номер производителя: NTR1P02LT3G
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

350 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.25V

Максимальное рассеяние мощности

400 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

3,1 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.01мм

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi P-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 NTR1P02LT3G
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 200.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 200.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

200

Доступно в кратности 200
200P.O.A.
400P.O.A.
600P.O.A.
800P.O.A.
1000P.O.A.
1200P.O.A.
1400P.O.A.
1600P.O.A.
1800P.O.A.
2000P.O.A.
2200P.O.A.
2400P.O.A.
2600P.O.A.
2800P.O.A.
3000P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi P-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 NTR1P02LT3G

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 200.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 200.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

200

Доступно в кратности 200
200P.O.A.
400P.O.A.
600P.O.A.
800P.O.A.
1000P.O.A.
1200P.O.A.
1400P.O.A.
1600P.O.A.
1800P.O.A.
2000P.O.A.
2200P.O.A.
2400P.O.A.
2600P.O.A.
2800P.O.A.
3000P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

350 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.25V

Максимальное рассеяние мощности

400 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

3,1 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.01мм

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor