ON Semiconductor NTMFS4833NT1G MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

191 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SO-8FL

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

113,6 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.9мм

Длина

5.8мм

Типичный заряд затвора при Vgs

88 nC @ 11.5 V

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Высота

1.05мм

Страна происхождения

Malaysia