onsemi Dual N-Channel MOSFET, 250 mA, 30 V, 6-Pin SOT-363 NTJD4001NT1G

Код товара RS: 780-0608PБренд: onsemiПарт-номер производителя: NTJD4001NT1G
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

250 мА

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

2,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

2,72 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

2

Длина

2.2мм

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

0,9 нКл при 5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi Dual N-Channel MOSFET, 250 mA, 30 V, 6-Pin SOT-363 NTJD4001NT1G
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 50.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 50.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi Dual N-Channel MOSFET, 250 mA, 30 V, 6-Pin SOT-363 NTJD4001NT1G

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 50.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 50.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

250 мА

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

2,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

2,72 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

2

Длина

2.2мм

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

0,9 нКл при 5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor