onsemi NTHD3100CT1G Dual Digital Transistor, 8-Pin ChipFET

Код товара RS: 186-7429Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTHD3100CT1G
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип корпуса

ChipFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,1 Вт

Число контактов

8

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

3.1 x 1.7 x 1.1мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi NTHD3100CT1G Dual Digital Transistor, 8-Pin ChipFET

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

onsemi NTHD3100CT1G Dual Digital Transistor, 8-Pin ChipFET
Информация о наличии не успела загрузиться

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип корпуса

ChipFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,1 Вт

Число контактов

8

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

3.1 x 1.7 x 1.1мм

Страна происхождения

Malaysia