Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 3 A, 3.9 A, 20 V, 8-Pin ChipFET ON Semiconductor NTHC5513T1G
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
3 А, 3,9 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
ChipFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
115 мΩ, 240 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
2,1 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
2,6 нКл при 4,5 В, 3 нКл при 4,5 В
Ширина
1.7мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
25
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
3 А, 3,9 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
ChipFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
115 мΩ, 240 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
2,1 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
2,6 нКл при 4,5 В, 3 нКл при 4,5 В
Ширина
1.7мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.