onsemi NTGD4167CT1G Dual Digital Transistor, 6-Pin TSOP

Код товара RS: 186-8867Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTGD4167CT1G
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип корпуса

Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,1 Вт

Конфигурация транзистора

Двойной

Число контактов

6

Количество элементов на ИС

2

Размеры

3.1 x 1.7 x 1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

P.O.A.

Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

onsemi NTGD4167CT1G Dual Digital Transistor, 6-Pin TSOP
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

onsemi NTGD4167CT1G Dual Digital Transistor, 6-Pin TSOP

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип корпуса

Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,1 Вт

Конфигурация транзистора

Двойной

Число контактов

6

Количество элементов на ИС

2

Размеры

3.1 x 1.7 x 1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C