onsemi P-Channel MOSFET, 8.4 A, 20 V, 3-Pin SOT-223 NTF6P02T3G

Код товара RS: 808-4138PБренд: onsemiПарт-номер производителя: NTF6P02T3G
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

8,4 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

70 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

8,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Ширина

3.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.65мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi P-Channel MOSFET, 8.4 A, 20 V, 3-Pin SOT-223 NTF6P02T3G
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi P-Channel MOSFET, 8.4 A, 20 V, 3-Pin SOT-223 NTF6P02T3G

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

8,4 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

70 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

8,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Ширина

3.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.65мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor