Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
120 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
2,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-15 В, +15 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
7,6 нКл при 5 В
Ширина
3.5мм
Высота
1.57мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 3 665,40
тг 183,27 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
тг 3 665,40
тг 183,27 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
20
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 20 - 80 | тг 183,27 | тг 3 665,40 |
| 100 - 380 | тг 116,22 | тг 2 324,40 |
| 400 - 980 | тг 116,22 | тг 2 324,40 |
| 1000 - 1980 | тг 89,40 | тг 1 788,00 |
| 2000+ | тг 75,99 | тг 1 519,80 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
120 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
2,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-15 В, +15 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
7,6 нКл при 5 В
Ширина
3.5мм
Высота
1.57мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
