Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
760 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-523 (SC-89)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
310 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-6 В, +6 В
Материал транзистора
Кремний
Ширина
0.95мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
1.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
2,1 нКл при 5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 5 587,50
тг 111,75 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 5 587,50
тг 111,75 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 50 | тг 111,75 | тг 5 587,50 |
| 100 - 200 | тг 49,17 | тг 2 458,50 |
| 250 - 450 | тг 49,17 | тг 2 458,50 |
| 500 - 950 | тг 49,17 | тг 2 458,50 |
| 1000+ | тг 35,76 | тг 1 788,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
760 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-523 (SC-89)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
310 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-6 В, +6 В
Материал транзистора
Кремний
Ширина
0.95мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
1.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
2,1 нКл при 5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
