onsemi P-Channel MOSFET, 760 mA, 20 V, 3-Pin SOT-523 NTE4151PT1G

Код товара RS: 780-0554Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTE4151PT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

760 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-523 (SC-89)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

310 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-6 В, +6 В

Материал транзистора

Кремний

Ширина

0.95мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

1.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

2,1 нКл при 5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

тг 5 587,50

тг 111,75 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)

onsemi P-Channel MOSFET, 760 mA, 20 V, 3-Pin SOT-523 NTE4151PT1G
Select packaging type

тг 5 587,50

тг 111,75 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)

onsemi P-Channel MOSFET, 760 mA, 20 V, 3-Pin SOT-523 NTE4151PT1G

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
50 - 50тг 111,75тг 5 587,50
100 - 200тг 49,17тг 2 458,50
250 - 450тг 49,17тг 2 458,50
500 - 950тг 49,17тг 2 458,50
1000+тг 35,76тг 1 788,00

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

760 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-523 (SC-89)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

310 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-6 В, +6 В

Материал транзистора

Кремний

Ширина

0.95мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

1.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

2,1 нКл при 5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor