Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
9 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
170 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
28,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
4,7 нКл при 5 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
2.38мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 3 687,75
тг 147,51 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 3 687,75
тг 147,51 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 25 - 25 | тг 147,51 | тг 3 687,75 |
| 50 - 75 | тг 138,57 | тг 3 464,25 |
| 100 - 225 | тг 116,22 | тг 2 905,50 |
| 250 - 475 | тг 116,22 | тг 2 905,50 |
| 500+ | тг 111,75 | тг 2 793,75 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
9 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
170 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
28,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
4,7 нКл при 5 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
2.38мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
