onsemi N-Channel MOSFET, 9 A, 60 V, 3-Pin DPAK NTD3055L170T4G

Код товара RS: 802-1493Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTD3055L170T4G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

9 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

170 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

28,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

4,7 нКл при 5 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

2.38мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

тг 3 687,75

тг 147,51 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

onsemi N-Channel MOSFET, 9 A, 60 V, 3-Pin DPAK NTD3055L170T4G
Select packaging type

тг 3 687,75

тг 147,51 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

onsemi N-Channel MOSFET, 9 A, 60 V, 3-Pin DPAK NTD3055L170T4G

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 25тг 147,51тг 3 687,75
50 - 75тг 138,57тг 3 464,25
100 - 225тг 116,22тг 2 905,50
250 - 475тг 116,22тг 2 905,50
500+тг 111,75тг 2 793,75

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

9 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

170 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

28,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

4,7 нКл при 5 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

2.38мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor