Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
46 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
60 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
21,2 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
9.65мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.29мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.83мм
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
20
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
20
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
46 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
60 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
21,2 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
9.65мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.29мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.83мм
Информация о товаре
