Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
31 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
74 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-24 В, +24 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
18,9 нКл при 10 В пост. тока
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.38мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
31 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
74 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-24 В, +24 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
18,9 нКл при 10 В пост. тока
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.38мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
