Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
18 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
65 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
55 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-15 В, +15 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
11 нКл при 5 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Ширина
6.22мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.38мм
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 1 653,90
тг 330,78 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 1 653,90
тг 330,78 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 95 | тг 330,78 | тг 1 653,90 |
| 100 - 245 | тг 169,86 | тг 849,30 |
| 250 - 495 | тг 169,86 | тг 849,30 |
| 500 - 995 | тг 165,39 | тг 826,95 |
| 1000+ | тг 134,10 | тг 670,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
18 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
65 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
55 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-15 В, +15 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
11 нКл при 5 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Ширина
6.22мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.38мм
Информация о товаре
