N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin D2PAK onsemi NTB60N06G

Код товара RS: 802-0992Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTB60N06T4G
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

14 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.29мм

Типичный заряд затвора при Vgs

62 нКл при 10 В

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.83мм

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Вас может заинтересовать
Infineon IRF3710SPBF MOSFET
Infineon IRF3710SPBF MOSFETБренд: Infineon
тг 1 090,68Each (ex VAT)

тг 3 285,45

тг 657,09 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin D2PAK onsemi NTB60N06G
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 285,45
10тг 5 989,80
15тг 8 984,70
20тг 11 979,60
25тг 14 974,50
30тг 17 969,40
35тг 20 964,30
40тг 23 959,20
45тг 26 954,10
50тг 29 949,00
55тг 32 943,90
60тг 35 938,80
65тг 38 933,70
70тг 41 928,60
75тг 44 923,50

тг 3 285,45

тг 657,09 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin D2PAK onsemi NTB60N06G

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 285,45
10тг 5 989,80
15тг 8 984,70
20тг 11 979,60
25тг 14 974,50
30тг 17 969,40
35тг 20 964,30
40тг 23 959,20
45тг 26 954,10
50тг 29 949,00
55тг 32 943,90
60тг 35 938,80
65тг 38 933,70
70тг 41 928,60
75тг 44 923,50

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 5тг 657,09тг 3 285,45
10 - 95тг 598,98тг 2 994,90
100 - 245тг 545,34тг 2 726,70
250 - 495тг 509,58тг 2 547,90
500+тг 447,00тг 2 235,00
Вас может заинтересовать
Infineon IRF3710SPBF MOSFET
Infineon IRF3710SPBF MOSFETБренд: Infineon
тг 1 090,68Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

14 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.29мм

Типичный заряд затвора при Vgs

62 нКл при 10 В

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.83мм

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Вас может заинтересовать
Infineon IRF3710SPBF MOSFET
Infineon IRF3710SPBF MOSFETБренд: Infineon
тг 1 090,68Each (ex VAT)