Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Тип корпуса
SOT-563
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
661 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
420
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
-30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
1.7 x 1.3 x 0.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
тг 4 358,25
тг 174,33 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 4 358,25
тг 174,33 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Лента |
|---|---|---|
| 25 - 25 | тг 174,33 | тг 4 358,25 |
| 50 - 225 | тг 169,86 | тг 4 246,50 |
| 250 - 475 | тг 111,75 | тг 2 793,75 |
| 500 - 975 | тг 111,75 | тг 2 793,75 |
| 1000+ | тг 89,40 | тг 2 235,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Тип корпуса
SOT-563
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
661 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
420
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
-30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
1.7 x 1.3 x 0.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
