ON Semiconductor NSS60200LT1G Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
540 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
150
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-7 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Over 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
540 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
150
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-7 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Over 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.