Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
20 В
Тип корпуса
WDFN
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
250
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 V dc
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2 x 2 x 0.75мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
P.O.A.
Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)
3000
P.O.A.
Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
3000
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
20 В
Тип корпуса
WDFN
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
250
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 V dc
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2 x 2 x 0.75мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
