Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Одинарный
Максимальное напряжение фиксации
6.6V
Минимальное пробивное напряжение
6.4V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
X2DFN
Максимальное обратное напряжение стабилизации
6.3V
Число контактов
2
Максимальный пиковый импульсный ток
30A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Размеры
1.05 x 0.65 x 0.35мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.35мм
Ширина
0.65мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Рабочее напряжение
6.3V
Напряжение электрических разрядов
8кВ
Емкость
110пФ
Длина
1.05мм
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Одинарный
Максимальное напряжение фиксации
6.6V
Минимальное пробивное напряжение
6.4V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
X2DFN
Максимальное обратное напряжение стабилизации
6.3V
Число контактов
2
Максимальный пиковый импульсный ток
30A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Размеры
1.05 x 0.65 x 0.35мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.35мм
Ширина
0.65мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Рабочее напряжение
6.3V
Напряжение электрических разрядов
8кВ
Емкость
110пФ
Длина
1.05мм
Страна происхождения
China